پروژه تعيين چگالي بارهاي سطحي ميان – گاه - دانلود رایگان
دانلود رایگان
دانلود رایگان پروژه تعيين چگالي بارهاي سطحي ميان – گاه
فصل اول :
ساختارهاي دورآلاييده........................... 1
مقدمه .......................................................................................... 2 1-1 نيمه
رسانا.................................................................................. 3 1-2 نيمه
رسانا با گذار مستقيم و غير مستقيم.............................. 4
1-3 جرم
موثر............................................................................... 4
1-4 نيمه
رساناي ذاتي............................................................ 6
1-5 نيمه
رساناي غير ذاتي و آلايش............................... 7
1-6 نيمه
رساناهاي Si و Ge ...................................... 10 1-7 رشد بلور ................................................ 13 1-7-1 رشد حجمي
بلور.......................................... 15 1-7-2 رشد رونشستي
مواد..................................... 15
1-7-3 رونشستي فاز
مايع .......................................... 16 1-7-4 رونشستي فاز
بخار....................................... 18
1-7-5 رونشستي پرتو مولکولي ...................................... 19 1-8 ساختارهاي ناهمگون....................................................... 20 1-9 توزيع حالتهاي انرژي الکترون‌ها در چاه کوانتومي........................ 21 1-10 انواع آلايش......................................................................... 23
1-10-1 آلايش کپهاي................................................................... 24
1-10-2 آلايش مدوله شده (دورآلاييدگي)...................................... 24
1-10-3 گاز الکتروني دوبعدي ................................................. 25
1-10-4 گاز حفرهاي دوبعدي............................................................ 26 1- 11 ویژگی و انواع ساختارهاي دور آلاييده ........................................ 27 1-11-1 انواع ساختارهاي دورآلاييده بهلحاظ ترتيب رشد لايهها
............. 27
1-11-2 انواع ساختار دور آلاييده به لحاظ نوع آلاييدگي ( n يا p )............ 28 1-11-3 انواع ساختار دور آلاييده دريچهدار.............................. 29
1-12 کاربرد ساختارهاي دور آلاييده................................................ 33 1-12-1 JFET......................................................................................... 33 1-12-2 MESFET
................................................................. 34
1-12-3 MESFET پيوندگاه ناهمگون .............................................. 35 فصل دوم : اتصال فلز نيمه رسانا (سد شاتکي)...................... 38 مقدمه .................................................................................... 39 2-1 شرط ايده آل و حالتهاي سطحي ................................. 41 2-2 لايه تهي ................................................................ 44
2-3 اثر شاتکي ................................................ 47
2-4 مشخصه ارتفاع سد.............................. 51
2-4-1 تعريف عمومي
و کلي
از ارتفاع سد......................... 51 2-4-2 اندازه گيري
ارتفاع سد................................ 57 2-4-3 اندازه گيري
جريان
– ولتاژ................................ 57
2-4-4 اندازه گيري
انرژي
فعال سازي........................ 60 2-4-5 اندازه گيري ولتاژ-
ظرفيت............................................ 60
2-4-6 تنظيم ارتفاع
سد .................................................... 62
2-4-7 کاهش سد ....................................................................... 62
2-4-8 افزايش سد....................................................................... 63 2-5 اتصالات يکسوساز . ................................................................... 64 2-6 سدهاي شاتکي نمونه
.................................................................. 64 فصل سوم : انتقال بار در ساختارهاي دورآلاييده...................... 66 مقدمه.......................................................................................... 67 3-1 ساختار دور آلاييده معکوس p-Si/Si1-XGeX/Si .......................................... 68 3-2 ساختار نوار ظرفيت ساختار دور آلاييده
معکوسp-Si/SiGe/Si............. 69 3-3 محاسبه انتقال بار در ساختارهاي دور آلاييده................................ 71 3-3-1 آلايش مدوله شده ايدهآل................................................... 71
3-3-2 محاسبات خود سازگار چگالي سطحي حاملها ...................... 74
3-3-3 اثر بارهاي سطحي بر چگالي گاز حفرهاي .............................. 74 3-4 روشهاي کنترل چگالي سطحي حاملها ........................ 76
3-4-1 تاثير تابش نور بر چگالي سطحي حاملها ............................. 77
3-4-2 تاثير ضخامت لايه پوششي بر چگالي سطحي حاملها............ 78
3-4-3 دريچه دار کردن ساختار دور آلاييده ............................... 79 3-5 ساختارهاي دورآلاييده معکوس p-Si/SiGe/Si با دريچه بالا ...................... 79
3-6 انتقال بار در ساختارهاي دورآلاييده معکوس با دريچه
بالا..................... 82 3-7 تاثير باياسهاي مختلف بر روي چگالي سطحي حفرهها ........................... 83
3-8 ملاحظات تابع موج........................................................................ 86
3-9 وابستگي Zav
به چگالي سطحي حاملها در ساختارهاي بي دريچه................... 87
3-10 وابستگي Zav به چگالي سطحي حاملها در
ساختارهاي دريچهدار.............. 87
فصل چهارم : نتايج محاسبات
............................................................ 89 مقدمه........................................................................................ 90
4-1
محاسبات نظري ساختارهاي دورآلاييده بي دريچه Si/SiGe/Si .............. 91
4-1-1 محاسبات نظري ns برحسب Ls ....................................... 91
4-1-2 محاسبات نظري ns برحسب NA
.................................................. 96
4-1-3 محاسبات نظري ns برحسب nc ....................................... 99
4-1-4 محاسبات نظري کليه انرژيهاي دخيل برحسب Ls ................. 100 4-2 محاسبات نظري ساختارهاي دورآلاييده دريچهدار Si/SiGe/Si ............ 100
4-2-1 محاسبات نظري ns برحسب vg ......................................... 100
4-2-2 بررسي نمونه ها با nsur متغير و تابعي خطي از vg با شيب مثبت .............. 107 4-2-3 بررسي نمونه ها با nsur متغير و تابعي خطي از vg با شيب منفي.......................... 114 فصل پنجم : نتايج............................................................................. 124 5-1مقايسه سد شاتکي با ساختار دورآلاييده دريچه دار p-Si/SiGe/Si ......... 125 5-2 بررسي نمودارهاي مربوط به چهار نمونه ......................................... 125
پيوست ...................................................................................................... 129
چکيده انگليسي (Abstract) ........................................................... 139 منابع................................................................................................ 141
چکيده در ساختارهاي Si/SiGe/Si که بوسيله روش رونشاني پرتو مولکولي رشد مييابند به دليل
ناپيوستگي نوار ظرفيت يک چاه کوانتومي در نوار ظرفيت و در لايه SiGe شکل ميگيرد اگر لايههاي مجاور با ناخالصيهاي نوع p